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盛合晶微开盘市值超1800亿!无锡国资大赚627%
发布日期:2026-04-29 14:51    点击次数:148

来源:直通 IPO,文 / 王非

A 股晶圆级先进封测第一股,来了。

4 月 21 日,集成电路晶圆级先进封测企业盛合晶微半导体有限公司(下称:盛合晶微)在上交所科创板挂牌,发行价 19.68 元,预计募资总额约 50.28 亿元。

上市首日,盛合晶微开盘大涨 406.71% 报 99.72 元,对应市值约 1857.55 亿元。截至午间休市,盛合晶微涨 286.84% 报 76.13 元,总市值 1418.13 亿元,盘中最高触及 100.99 元。

IPO 进程显示,盛合晶微于 2023 年 6 月签署上市辅导协议;2025 年 10 月,该公司科创板 IPO 申请获受理;2 月 24 日,盛合晶微成为马年首单科创板过会企业。从受理到上市,用时仅 6 个月,上市速度在同期申报企业中名列前茅。

值得一提的是,盛合晶微来自被誉为中国半导体"第一县"的江阴。据无锡金融信息,2025 年江阴新增上市企业 4 家(其中 A 股 3 家),使得全市累计上市公司总数达到 66 家。

盛合晶微,也正式成为江阴第 67 家上市公司。

中芯长电孵化,无锡国资账面价值约 152 亿元

盛合晶微成立于 2014 年 11 月,曾用名为——中芯长电半导体(江阴)有限公司,是一家带有中芯国际和长电科技双重基因的合资公司。到了 2015 年 9 月,不到一年时间,中芯长电就完成了生产工艺的调试和产品认证加工。

然而,受中芯国际被列入实体清单影响,其参股企业中芯长电遭受连带影响。2021 年 4 月,中芯国际于以 3.97 亿美元总对价完成中芯长电业务剥离。当月,中芯长电正式更名为盛合晶微。

此后,盛合晶微在三轮融资中获得 13.4 亿美元资金支持,除老股东元禾厚望、中金资本、元禾璞华继续参与投资外,还吸引光控华登、碧桂园创投、华泰国际、君联资本、兰璞创投、尚颀资本、TCL 创投、中芯熙诚、无锡产发基金、江阴滨江澄源投资集团、上海国投孚腾资本、上海国际集团、社保基金中关村自主创新基金等入股。

招股书显示,无锡产发基金于 2024 年 12 月,以 1.75 美元 / 股的价格获得 1.75 亿股,总金额为 3.0625 亿美元(约合 20.8725 亿元)。

IPO 前,盛合晶微无控股股东且无实际控制人,其第一大股东无锡产发基金持股比例为 10.89%;第二大股东招银系股东合计持股 9.96%;第三大股东厚望系合计持股 6.76%;第四大股东深圳远致一号持股 6.14%;第五大股东中金系股东合计持股 5.33%。IPO 后,上述前五大股东分别持股 8.17%、6.46%、5.08%、4.60%、4.11%。

按开盘市值 1857.55 亿元计算,由‌江阴市国资委控股的无锡产发基金,账面价值约 151.76 亿元,投资回报率高达 627.09%。

去年营收超 65 亿,净利润超 9 亿

盛合晶微起步于先进的 12 英寸中段硅片加工,并进一步提供晶圆级封装(WLP)和芯粒多芯片集成封装等全流程的先进封测服务,致力于支持各类高性能芯片,尤其是图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)、人工智能芯片等,通过超越摩尔定律(More than Moore)的异构集成方式,实现高算力、高带宽、低功耗等的全面性能提升。

发展至今,盛合晶微已经成为中国大陆在芯粒多芯片集成封装领域起步最早、技术最先进、生产规模最大、布局最完善的企业之一,可为高性能运算芯片、智能手机应用处理器、射频芯片、存储芯片、电源管理芯片、指纹识别芯片、网络通信芯片等多类芯片提供一站式客制化的集成电路先进封测服务,应用于高性能运算、人工智能、数据中心、自动驾驶、智能手机、消费电子、5G 通信等终端领域。

招股书显示,2022-2025 年,盛合晶微的营业收入分别约 16.33 亿、30.38 亿、47.05 亿、65.21 亿元;净利润和归母净利润分别约 -3.29 亿、3413.06 万、2.14 亿、9.23 亿元,实现从亏损到持续盈利的跨越;扣非归母净利润分别约 -3.49 亿、3162.45 万、1.87 亿、8.59 亿元。

盛合晶微预计 2026 年第一季度营收为 16.5 亿 -18 亿,较上年同期的 15.01 亿元增长 9.91%-19.91%;预计净利及扣非后净利分别为为 1.35 亿 -1.5 亿,较上年同期的约 1.26 亿元分别增长 6.93%-18.81%、7.32%-19.24%。

值得一提的是,在人工智能爆发、数字经济建设持续推进的大趋势下,盛合晶微持续加大研发创新投入,致力于三维多芯片集成先进封装技术的迭代发展,目前已形成了全流程芯粒多芯片集成加工的完整技术体系和量产能力。

此次 IPO,盛合晶微拟将募资用于三维多芯片集成封装项目、超高密度互联三维多芯片集成封装项目,用于形成多个芯粒多芯片集成封装技术平台的规模产能,并补充配套的凸块制造产能。



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